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Si基板を用いた窒化物半導体のエピタキシャル成長

フォーマット:
図書
責任表示:
生川満久[著]
言語:
日本語
出版情報:
[津] : [三重大学], 2002
形態:
1冊 ; 31 cm
著者名:
生川, 満久  
シリーズ名:
修士論文. 三重大学大学院工学研究科博士前期課程電気電子工学専攻 ; 平成13年度
書誌ID:
MT00009264
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